BTS650P 是英飛凌(Infineon)推出的一款基于溝槽柵� MOSFET 技術的 N 溝道功率場效應晶體管(MOSFET�。該器件采用 TO-263 封裝形式,廣泛應用于需要高效率和低導通電阻的場合。它適用于開關電�、電機驅動、負載切換等應用領域。BTS650P 的設計結合了低導通損耗與快速開關性能,能夠滿足現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)對高效能的需��
BTS650P 在額定電壓為 60V 的條件下工作,并具有非常低的導通電� Rds(on),這使其成為高效功率轉換的理想選擇。此外,其出色的熱特性和可靠性也使其適合于工�(yè)及消費類電子�(chǎn)品中的多種應用場��
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�47A
最大脈沖漏極電流:118A
導通電� Rds(on)�3.6mΩ
柵極電荷 Qg�19nC
總功耗:17W
工作結溫范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263
1. 極低的導通電� Rds(on),可減少傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開關速度和低柵極電荷 Qg,有助于降低開關損��
3. 高電流處理能�,支持高� 47A 的連續(xù)漏極電流�
4. 良好的熱性能,具備高結溫承受能力,適合高溫環(huán)境下的應��
5. 符合 RoHS 標準,確保環(huán)保要��
6. 提供強大的雪崩能力和 ESD 保護,增強器件的魯棒��
1. 開關模式電源(SMPS�
2. 電機驅動與控�
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電管理
5. 消費類電子產(chǎn)品中� DC-DC 轉換�
6. 照明系統(tǒng)的電子鎮(zhèn)流器� LED 驅動
BTS618P, IRFZ44N, FDP55N06L