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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRF7821TRPBF

IRF7821TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/3/9 14:29:27 查看 閱讀�438

IRF7821TRPBF是一款N溝道MOSFET功率晶體�。它是由�(guó)際整流器公司(International Rectifier)生�(chǎn)的,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器和其他高性能電路��
  IRF7821TRPBF采用了封裝為TO-252的DPAK封裝,這種封裝形式使得它在電路�(shè)�(jì)中易于使用和安裝。它具有低導(dǎo)通電阻和低開啟電阻的特點(diǎn),能夠提供穩(wěn)定和高效的電源轉(zhuǎn)��
  該器件的最大漏極電壓為30V,最大漏極電流為9.8A,最大功耗為2.5W。它具有低漏極電�,使得在高電流應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗和高效��
  IRF7821TRPBF采用了先�(jìn)的MOSFET技�(shù),使得它具有快速開�(guān)速度和低�(qū)�(dòng)電壓要求。這使得它適用于高頻率�(yīng)用和需要快速響�(yīng)的電路�
  此外,它還具有過溫保�(hù)和靜電放電(ESD)保�(hù)等特�,提高了其在工業(yè)�(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)指標(biāo)

最大漏極電�(Vds)�30V
  最大漏極電�(Id)�9.8A
  最大功�(Pd)�2.5W
  漏極電阻(Rds(on))�45mΩ
  輸入電容(Ciss)�530pF
  開關(guān)�(shí)�(ts, td)�6.7ns
  靜態(tài)開態(tài)電壓(Vgs(th))�2-4V
  工作溫度范圍(Tj)�-55°C�+175°C

組成�(jié)�(gòu)

IRF7821TRPBF由MOSFET晶體�、漏極電阻和柵極�(qū)�(dòng)電路組成。它采用了TO-252封裝,包括三�(gè)引腳:漏�(Drain)、源�(Source)和柵�(Gate)�

工作原理

IRF7821TRPBF是一種N溝道MOSFET,其工作原理基于溝道的導(dǎo)電�。當(dāng)柵極電壓(Vgs)高于閾值電�(Vgs(th))�(shí),溝道會(huì)形成�(dǎo)電通道,電流可以從漏極流向源極。通過�(diào)節(jié)柵極電壓,可以控制溝道的�(dǎo)電性,從而控制漏�-源極之間的電��

技�(shù)要點(diǎn)

低漏極電�: IRF7821TRPBF具有低漏極電阻,能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗和高效��
  快速開�(guān)速度: 采用先�(jìn)的MOSFET技�(shù),具有快速開�(guān)速度和低�(qū)�(dòng)電壓要求�
  過溫保護(hù)和靜電放電保�(hù): 提供過溫保護(hù)和靜電放電(ESD)保�(hù)等特�,提高了�(wěn)定性和可靠性�

�(shè)�(jì)流程

�(shè)�(jì)IRF7821TRPBF的電路流程一般包括以下步驟:
  確定電源需求和�(fù)載特��
  選擇合適的功率晶體管,如IRF7821TRPBF�
  根據(jù)�(fù)載特性和電源需求,�(jì)算工作電流和電壓�
  �(jìn)行熱�(shè)�(jì),確保晶體管能夠正常工作并保持合適的溫度�
  �(shè)�(jì)�(qū)�(dòng)電路,確保柵極電壓和電流符合�(guī)��
  �(jìn)行電路模擬和�(yōu)�,確保性能和穩(wěn)定性�
  組裝和測(cè)試電�,驗(yàn)證設(shè)�(jì)的準(zhǔn)確性和可靠性�

常見故障及預(yù)防措�

過熱故障:確保適�(dāng)?shù)纳嵩O(shè)�(jì)和溫度控�,如使用散熱片和�(fēng)扇等�
  靜電放電故障:避免直接接觸晶體管引腳,使用靜電防�(hù)�(shè)備和合適的工作環(huán)��
  過電流故障:使用適當(dāng)?shù)碾娏飨拗齐娐泛捅Wo(hù)電路,如保險(xiǎn)絲和電流傳感器等�
  過壓故障:使用適�(dāng)?shù)碾妷罕Wo(hù)電路和過壓保�(hù)器件,如快速反�(yīng)的瞬�(tài)電壓抑制二極管等�

irf7821trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf7821trpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf7821trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.1 毫歐 @ 13A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1010pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7821PBFTR