CDR31BX562AMZRAT 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和高可靠性,適用于各種工�(yè)和消費類電子�(chǎn)��
型號:CDR31BX562AMZRAT
類型:MOSFET
封裝:TO-252
耐壓�60V
電流�-42A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�10nC
工作溫度范圍�-55� � 175�
CDR31BX562AMZRAT 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (4.5mΩ),能夠顯著降低功率損��
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場合�
3. 支持大電流操� (-42A),具備出色的�(fù)載能力�
4. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運行�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)計�
6. 提供�(yōu)異的� ESD 和抗浪涌能力,確保長期可靠運��
� MOSFET 可以用于以下�(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源中的同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 各種�(fù)載開�(guān)�(yīng)��
5. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)電路�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�
CDR31BX562AMZPAT, CDR31BX562AMZBAT