IRF7467TR 是一款高性能� N �?? HEXFET 功率 MOSFET,由 Vishay 公司生產(chǎn)。該器件采用 SO-8 封裝形式,廣泛用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)控制以及其他功率管理�(yīng)用中。IRF7467TR 的設(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而提高了效率并降低了功��
這款 MOSFET 的最大特�(diǎn)是其較低的導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�(shí),SO-8 封裝提供了良好的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏電流:29A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ
柵極電荷�13nC
總電容:250pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
IRF7467TR 的主要特性包括低�(dǎo)通電� (5.5mΩ),這有助于減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
此外,其較小的柵極電� (13nC) 和快速開�(guān)能力使得它非常適合高頻開�(guān)�(yīng)�。該器件還具有出色的熱穩(wěn)定�,在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持可靠的性能�
SO-8 封裝不僅提供�(yōu)異的電氣性能,還具備良好的機(jī)械穩(wěn)定性和�(huán)境適�(yīng)�,確保在各種苛刻條件下正常工作�
其高漏極電流能力 (29A) 和較高的漏源電壓 (60V) 為設(shè)�(jì)者提供了更大的靈活�,適用于多種功率電子電路�
IRF7467TR 主要�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電池管理系�(tǒng)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電信�(shè)備中的功率管理模��
由于其低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,它也常用于�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
此外,其緊湊的封裝和高可靠性使其成為便攜式�(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的理想選擇�
IRF7407TR, IRF7408TR, IRF7410TR