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IRF7467TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 9:17:47 查看 閱讀�25

IRF7467TR 是一款高性能� N �?? HEXFET 功率 MOSFET,由 Vishay 公司生產(chǎn)。該器件采用 SO-8 封裝形式,廣泛用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)控制以及其他功率管理�(yīng)用中。IRF7467TR 的設(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而提高了效率并降低了功��
  這款 MOSFET 的最大特�(diǎn)是其較低的導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�(shí),SO-8 封裝提供了良好的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏電流:29A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ
  柵極電荷�13nC
  總電容:250pF
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

IRF7467TR 的主要特性包括低�(dǎo)通電� (5.5mΩ),這有助于減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  此外,其較小的柵極電� (13nC) 和快速開�(guān)能力使得它非常適合高頻開�(guān)�(yīng)�。該器件還具有出色的熱穩(wěn)定�,在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持可靠的性能�
  SO-8 封裝不僅提供�(yōu)異的電氣性能,還具備良好的機(jī)械穩(wěn)定性和�(huán)境適�(yīng)�,確保在各種苛刻條件下正常工作�
  其高漏極電流能力 (29A) 和較高的漏源電壓 (60V) 為設(shè)�(jì)者提供了更大的靈活�,適用于多種功率電子電路�

�(yīng)�

IRF7467TR 主要�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電池管理系�(tǒng)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電信�(shè)備中的功率管理模��
  由于其低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,它也常用于�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  此外,其緊湊的封裝和高可靠性使其成為便攜式�(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的理想選擇�

替代型號(hào)

IRF7407TR, IRF7408TR, IRF7410TR

irf7467tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf7467tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 11A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs32nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2530pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)