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GA0402H222MXAAP31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 19:06:48 查看 閱讀�8

GA0402H222MXAAP31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)等電力電子領(lǐng)�。該芯片基于先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能等特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功��
  該型�(hào)是N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于多種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�220A
  �(dǎo)通電阻:0.7mΩ
  柵極電荷�150nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)�25ns,上升時(shí)�10ns,關(guān)閉延遲時(shí)�20ns,下降時(shí)�15ns
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA0402H222MXAAP31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少�(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,適合大功率�(yīng)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)特�,支持高頻操�,從而減小磁性元件體積和整體系統(tǒng)尺寸�
  4. 出色的熱�(wěn)定性,確保在極端環(huán)境下的可靠運(yùn)��
  5. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)器件的抗靜電能力�
  6. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局和散熱管��

�(yīng)�

該芯片適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率控制場(chǎng)景,包括但不限于�
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 汽車電子中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和繼電器替代
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
  7. 太陽(yáng)能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部�

替代型號(hào)

GA0402H222MXAAP32G
  IRFP2907
  FDP18N40

ga0402h222mxaap31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" �(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"�0.60mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-