GA0402H222MXAAP31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)等電力電子領(lǐng)�。該芯片基于先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能等特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功��
該型�(hào)是N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于多種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�220A
�(dǎo)通電阻:0.7mΩ
柵極電荷�150nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)�25ns,上升時(shí)�10ns,關(guān)閉延遲時(shí)�20ns,下降時(shí)�15ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA0402H222MXAAP31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少�(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,適合大功率�(yīng)��
3. 快速開(kāi)�(guān)特�,支持高頻操�,從而減小磁性元件體積和整體系統(tǒng)尺寸�
4. 出色的熱�(wěn)定性,確保在極端環(huán)境下的可靠運(yùn)��
5. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)器件的抗靜電能力�
6. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局和散熱管��
該芯片適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率控制場(chǎng)景,包括但不限于�
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 汽車電子中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和繼電器替代
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
7. 太陽(yáng)能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部�
GA0402H222MXAAP32G
IRFP2907
FDP18N40