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IRF7451TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:35:34 查看 閱讀�27

IRF7451TR 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,由 Vishay 公司生產(chǎn)。該器件采用 TrenchFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)�、同步整流以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用�
  IRF7451TR 采用 TO-263-3 封裝(D2PAK�,能夠提供出色的散熱性能,同�(shí)支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和提高可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�51A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�9nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:8ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

IRF7451TR 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),� Vgs=10V �(shí)僅為 1.5mΩ,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提升效率�
  2. 高電流承載能�,最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 51A,適用于高功率應(yīng)��
  3. 快速開�(guān)性能,柵極電荷低� 9nC,反向恢�(fù)�(shí)間僅� 8ns,有助于減少開關(guān)損��
  4. 寬工作溫度范圍(-55� � +175℃),能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  6. 表面貼裝封裝(TO-263-3/D2PAK�,適合自�(dòng)化生�(chǎn),同�(shí)具備良好的散熱性能�

�(yīng)�

IRF7451TR 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
  2. 同步整流極管替代方案�
  3. �(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器(POL Converter)中的高效功率開�(guān)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器應(yīng)用,特別是需要高電流和快速開�(guān)的應(yīng)用場��
  5. 工業(yè)控制和汽車電子中的大功率�(fù)載切換與保護(hù)�
  6. 多相 VRM(Voltage Regulator Module)設(shè)�(jì)中的功率 MOSFET�

替代型號

IRF7403TR, IRF7404TR, IRF7405TR

irf7451tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

irf7451tr資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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irf7451tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 2.2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds990pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)