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IRF7304PBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/9 16:43:02 查看 閱讀�807

    晶體管極�:P溝道(�)

    漏極電流, Id 最大�:-4.3A

    電壓, Vds 最�:20V

   

目錄

概述

    晶體管極�:P溝道(�)

    漏極電流, Id 最大�:-4.3A

    電壓, Vds 最�:20V

    �(kāi)�(tài)電阻, Rds(on):0.09ohm

    電壓 @ Rds�(cè)�:-4.5V

    電壓, Vgs 最�:-700mV

    功�:2W

    封裝�(lèi)�:SOIC

    針腳�(shù):8

    SMD�(biāo)�(hào):IRF7304PBF

    功率, Pd:2W

    外寬:4.05mm

    外部深度:5.2mm

    外部�(zhǎng)�/高度:1.75mm

    封裝�(lèi)�:SOIC

    排距:6.3mm

    晶體管數(shù):2

    晶體管類(lèi)�:MOSFET

    溫度 @ 電流�(cè)�:25°C

    �(mǎn)功率溫度:25°C

    電壓 Vgs @ Rds on �(cè)�:-4.5V

    電壓, Vds 典型�:-20V

    電流, Id 連續(xù):4.3A

    電流, Idm 脈沖:17A

    表面安裝器件:表面安裝

    閾值電�, Vgs th 典型�:-0.7V


資料

廠商
Infineon Technologies

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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irf7304pbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝95
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET �2 �(gè) P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.3A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 2.2A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs22nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds610pF @ 15V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝管件