IRF8788TRPBF 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件采用� TrenchFET Gen II 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)。它適用于多種開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池保護(hù)電路等。這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-263-3L(D2PAK�,適合表面貼裝工��
IRF8788TRPBF 在高頻開(kāi)�(guān)條件下表�(xiàn)出色,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和緊湊�(shè)�(jì)的需求�
最大漏源電壓:55V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:1.9mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�2520pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝類型:TO-263-3L (D2PAK)
功耗:305W
IRF8788TRPBF 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型值下僅為 1.9mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,支持高�(dá) 40A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,得益于較低的柵極電荷和�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�
4. 廣泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C),使其能夠在嚴(yán)苛環(huán)境下可靠�(yùn)��
5. 使用 TrenchFET Gen II 技�(shù)制�,提供更�(yōu)的電氣特性和更高的密��
6. 表面貼裝封裝(TO-263-3L/D2PAK)簡(jiǎn)化了 PCB �(shè)�(jì)和組裝過(guò)��
這些特點(diǎn)使得 IRF8788TRPBF 成為高性能電源管理�(yīng)用的理想選擇�
IRF8788TRPBF 常用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心元�,用于提升轉(zhuǎn)換效��
3. �(fù)載開(kāi)�(guān),在各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中�(shí)�(xiàn)快速開(kāi)�/�(guān)閉功��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,控制小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
5. 電池保護(hù)系統(tǒng),防止過(guò)�、過(guò)放或短路等情況發(fā)��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開(kāi)�(guān)組件�
由于其出色的電氣性能和可靠�,IRF8788TRPBF 可以滿足從消�(fèi)類到工業(yè)�(jí)的各種應(yīng)用場(chǎng)景需��
IRF8788PBF, IRF8788TRPBFH