類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�200 毫歐 @ 5.7A, 25V
漏極至源極電�(Vdss)�100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�9.7A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�25nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �330pF @ 25V
功率 - 最大:3.8W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:D2Pak,TO-263�2 引線 + 接片�
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
廠商 |
---|
Infineon Technologies |