GA1206Y124JXCBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,主要用于開關和功率轉(zhuǎn)換應用。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高耐壓能力,適用于工業(yè)、汽車和消費電子領域中的多種應用場景。
其封裝形式為 TO-263(D2PAK),能夠有效提升散熱性能,并確保在高頻工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
型號:GA1206Y124JXCBT31G
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
漏源極電壓(Vds):120V
連續(xù)漏極電流(Id):6A
導通電阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,Vgs=10V)
柵極電荷(Qg):15nC(最大值)
總功耗(Ptot):160W
工作溫度范圍(Tj):-55℃ 至 +175℃
封裝:TO-263(D2PAK)
GA1206Y124JXCBT31G 提供了出色的電氣性能和可靠性,適合各種嚴苛的工作環(huán)境。
主要特點包括:
1. 極低的導通電阻 Rds(on),可顯著降低導通損耗并提高效率。
2. 快速開關速度,得益于較小的柵極電荷 Qg,從而減少了開關損耗。
3. 高度穩(wěn)定的動態(tài)性能,在高頻工作條件下表現(xiàn)優(yōu)異。
4. 寬泛的工作溫度范圍,使其能夠在極端環(huán)境下正常運行。
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠。
6. 優(yōu)化的熱設計,支持更高的功率密度和更長的使用壽命。
這款 MOSFET 廣泛應用于多個領域,具體包括:
1. 開關電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關。
2. 電機驅(qū)動電路中的功率級控制。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換。
4. 工業(yè)自動化設備中的功率管理。
5. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. 各種電池充電器和適配器中的保護與控制功能。
GA1206Y124JXCBT29G
IRFZ44N
STP80NF06L