GA1206A2R2CBBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,屬于溝道型增強(qiáng)模式器件。該型號(hào)主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器和其他需要高效能功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。此芯片采用先進(jìn)的制造工藝,能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,從而降低能耗并提高系統(tǒng)效率。
該芯片具有出色的熱性能和電氣性能,適合高頻率和高功率密度的設(shè)計(jì)需求。同時(shí),它也具備較高的可靠性和穩(wěn)定性,能夠在惡劣的工作環(huán)境下正常運(yùn)行。
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流:6A
導(dǎo)通電阻:2.2mΩ
柵極電荷:35nC
輸入電容:1280pF
總功耗:24W
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
GA1206A2R2CBBBT31G具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.2mΩ),有助于減少導(dǎo)通損耗,提升整體效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度,支持高頻應(yīng)用,降低開(kāi)關(guān)損耗。
3. 高耐壓能力(120V),適用于多種電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。
4. 出色的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下仍能保持高性能。
5. 緊湊的封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB空間,便于小型化設(shè)計(jì)。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種電子設(shè)備中。
這款芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)
4. 太陽(yáng)能逆變器
5. 電動(dòng)工具和家用電器中的功率管理
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高效能模塊
由于其優(yōu)異的性能表現(xiàn),GA1206A2R2CBBBT31G特別適合要求高效能、高可靠性的電力電子應(yīng)用。
GA1206A2R2CBBBT21G
IRF1206ZPBF
FDP1206AN
STP120NF06L