IRF200P222是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)設(shè)計和生產(chǎn)。該器件適用于高電壓、高效率的開�(guān)�(yīng)�,廣泛用于電�(jī)�(qū)�、開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的場景。其采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠有效減少能量損耗并提升系統(tǒng)性能�
IRF200P222屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET,支持高�(cè)開關(guān)配置,特別適合于�(fù)載切�、電池保�(hù)和反向電流保�(hù)等應(yīng)��
最大漏源電壓:-100V
連續(xù)漏極電流�-9.2A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3Ω(典型�,Vgs=-10V時)
柵極電荷�28nC(最大值)
總功耗:14W
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
IRF200P222具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力,可承受高達(dá)100V的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運��
2. 低導(dǎo)通電�,在特定的工作條件下(如Vgs=-10V時),其典型�(dǎo)通電阻僅�3Ω,從而減少了傳導(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)速度,通過�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,提高了效率并降低了開關(guān)損耗�
4. 廣泛的工作溫度范�,使其適用于各種�(yán)苛的工業(yè)和汽車環(huán)境�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. �(qiáng)大的散熱性能,得益于TO-263封裝的大面積金屬墊片�(shè)計,可以有效將熱量散�(fā)到PCB板上�
IRF200P222因其卓越的性能被廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源中的高側(cè)開關(guān)或同步整流元��
2. 電機(jī)控制電路中的�(qū)動開�(guān)�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器的主開關(guān)元件�
4. 各種電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)功能�
5. 汽車電子�(shè)備中對高可靠性要求的開關(guān)�(yīng)用�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
IRF9540N, IRF5305, IRF630