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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRF200P222

IRF200P222 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 9:26:28 查看 閱讀�18

IRF200P222是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)設(shè)計和生產(chǎn)。該器件適用于高電壓、高效率的開�(guān)�(yīng)�,廣泛用于電�(jī)�(qū)�、開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的場景。其采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠有效減少能量損耗并提升系統(tǒng)性能�
  IRF200P222屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET,支持高�(cè)開關(guān)配置,特別適合于�(fù)載切�、電池保�(hù)和反向電流保�(hù)等應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:-100V
  連續(xù)漏極電流�-9.2A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3Ω(典型�,Vgs=-10V時)
  柵極電荷�28nC(最大值)
  總功耗:14W
  工作溫度范圍�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)

特�

IRF200P222具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高耐壓能力,可承受高達(dá)100V的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運��
  2. 低導(dǎo)通電�,在特定的工作條件下(如Vgs=-10V時),其典型�(dǎo)通電阻僅�3Ω,從而減少了傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)速度,通過�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,提高了效率并降低了開關(guān)損耗�
  4. 廣泛的工作溫度范�,使其適用于各種�(yán)苛的工業(yè)和汽車環(huán)境�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  6. �(qiáng)大的散熱性能,得益于TO-263封裝的大面積金屬墊片�(shè)計,可以有效將熱量散�(fā)到PCB板上�

�(yīng)�

IRF200P222因其卓越的性能被廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源中的高側(cè)開關(guān)或同步整流元��
  2. 電機(jī)控制電路中的�(qū)動開�(guān)�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器的主開關(guān)元件�
  4. 各種電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)功能�
  5. 汽車電子�(shè)備中對高可靠性要求的開關(guān)�(yīng)用�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��

替代型號

IRF9540N, IRF5305, IRF630

irf200p222推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf200p222參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�170�(xiàn)�
  • 價格1 : �78.55000管件
  • 系列StrongIRFET?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�200 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)182A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)6.6 毫歐 @ 82A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)4V @ 270μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)203 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)9820 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)556W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247AC
  • 封裝/外殼TO-247-3