GA1206A1R8DBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,其�(shè)計優(yōu)化了動態(tài)性能和靜�(tài)性能之間的平�,適合高頻開�(guān)�(yīng)用場�。通過封裝技�(shù)的改�(jìn),GA1206A1R8DBABT31G 還具備出色的熱管理和電氣特性�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):140A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8mΩ
總柵極電荷(Qg):75nC
輸入電容(Ciss):4390pF
輸出電容(Coss):930pF
反向傳輸電容(Crss):125pF
功耗(Ptot):175W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1206A1R8DBABT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能力,支持高達(dá) 140A 的連續(xù)漏極電流�
3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,有助于實現(xiàn)快速開�(guān)和降低開�(guān)損耗�
4. 小型化的封裝形式,提供良好的散熱性能,同時節(jié)省電路板空間�
5. 廣泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
6. 出色的靜電防�(hù)(ESD)能力,提升了器件的可靠性和耐用��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��
GA1206A1R8DBABT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管�
2. 電動工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)動電��
3. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓�(zhuǎn)換器的核心功率元��
4. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)以及逆變��
5. 高效節(jié)能的 LED �(qū)動電��
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
7. 各類需要大電流、高效率和高頻工作的電力電子裝置�
GA1206A1R8DBABT30G, IRFP2907ZPBF, FDP150N06LE