IR2183SPBF是高電壓,高速功率MOSFET和IGBT�(qū)�(dòng)�,具有獨(dú)立的高側(cè)和低�(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技�(shù)使堅(jiān)固的整體�(jié)�(gòu)。邏輯輸入兼容標(biāo)�(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,低�3.3V邏輯。輸出驅(qū)�(dòng)器具有高脈沖電流緩沖�(jí),設(shè)�(jì)用于最小的�(qū)�(dòng)器交�?zhèn)�?dǎo)。浮�(dòng)通道可用于驅(qū)�(dòng)高側(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作電壓可達(dá)600��
專為自舉操作�(shè)�(jì)的浮�(dòng)通道
完全�(yùn)行時(shí)的電壓高�(dá)600V
容許�(fù)瞬態(tài)電壓�
不受dV/dt影響
柵極�(qū)�(dòng)供電電壓范圍�10�20V
雙通道欠壓鎖定
3.3V�5V輸入邏輯兼容
雙通道的匹配傳播延�
邏輯和電源接�+/-5V偏移
較低的di/dt柵極�(qū)�(dòng)器可獲得更好的抗噪聲�
輸出�/灌電流能力為1.4A/1.8A
品牌:Infineon(英飛凌)
封裝�8-SOIC
包裝:管
電壓-供電�10V~20V
工作溫度�-40°C~150°C(TJ�
安裝類型:表面貼裝型
基本�(chǎn)品編�(hào):IR2183
HTSUS�8542.39.0001
�(qū)�(dòng)配置:半�
通道類型:獨(dú)立式
�(qū)�(dòng)器數(shù)�
柵極類型:IGBT,N溝道MOSFET
邏輯電壓-VIL,VIH�0.8V�2.7V
電流-峰值輸出(灌入,拉出)�1.9A�2.3A
輸入類型:反相,非反�
上升/下降�(shí)間(典型值)�40ns�20ns
高壓�(cè)電壓-最大值(自舉):600V
�(chǎn)品應(yīng)用:汽車�(jí)
濕氣敏感性等�(jí)(MSL)�2�1年)
REACH狀�(tài):非REACH�(chǎn)�
ECCN:EAR99
IR2183SPBF原理�
IR2183SPBF引腳�
IR2183SPBF封裝