GA1206Y823JBBBT31G 是一款高性能的存儲芯�,屬� NAND Flash 類型。該芯片主要�(yīng)用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲的場景,例如固態(tài)硬盤(SSD�、USB 閃存盤以及嵌入式系統(tǒng)�。其采用先�(jìn)的制程工藝,具備高讀寫速度和低功耗的特點(diǎn),同�(shí)支持多種接口�(xié)議以適應(yīng)不同的設(shè)備需��
該型號中的部分標(biāo)識代表了具體的規(guī)格參�(shù),例如存儲容�、封裝形式以及工作溫度范圍等。此�,它還具有良好的�(shù)�(jù)保持能力和耐用性,能夠滿足工業(yè)級或消費(fèi)級產(chǎn)品的多樣化需��
類型:NAND Flash
存儲容量�128GB
接口類型:Toggle Mode 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
I/O 引腳�(shù)�31
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
擦寫壽命�3000 次(典型值)
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:10 年(� 25°C 下)
GA1206Y823JBBBT31G 提供了卓越的�(shù)�(jù)存儲性能和可靠�。首先,它的 Toggle Mode 2.0 接口確保了高速的�(shù)�(jù)傳輸速率,適用于對速度有較高要求的�(yīng)用場景。其�,該芯片采用了先�(jìn)� 3D NAND 技�(shù),相比傳�(tǒng)� 2D NAND,在相同尺寸下可以提供更大的存儲密度�
此外,該芯片的工作電壓較�,僅� 1.8V,有助于減少功耗并延長�(shè)備續(xù)航時(shí)間。同�(shí),它支持較寬的工作溫度范�,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,這使得其非常適合用于工業(yè)控制、汽車電子以及其他惡劣環(huán)境下的應(yīng)��
GA1206Y823JBBBT31G 的擦寫壽命達(dá)� 3000 次以上,足以�(yīng)對大多數(shù)日常使用場景。并且其�(shù)�(jù)保持能力也十分出色,在常溫條件下可保存數(shù)�(jù)長達(dá)十年之久,這對于長期存儲重要信息至�(guān)重要�
GA1206Y823JBBBT31G 廣泛�(yīng)用于各類需要高效存儲解決方案的�(lǐng)�。常見的�(yīng)用場景包括但不限于:
- 固態(tài)硬盤(SSD)制�
- USB 閃存盤及移動(dòng)存儲�(shè)�
- 嵌入式系�(tǒng)的內(nèi)部存�
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的�(shù)�(jù)記錄模塊
- 車載信息系統(tǒng)和導(dǎo)航設(shè)�
- 消費(fèi)電子�(chǎn)品如智能電視、平板電腦和�(shù)碼相�(jī)�
由于其出色的性能和可靠�,該芯片同樣適用于對�(wěn)定性要求極高的�(yī)療設(shè)備、通信基站以及軍工航天等領(lǐng)��
GA1206Y823JBBBT32G
GA1206Y823JBBBT30G
GA1206Y823JBBBT33G