IPW60R165CP是英飛凌(Infineon)推出的一款高性能MOSFET功率晶體�,采用PQFN5x6-8L封裝。這款器件屬于OptiMOS系列,具有低�(dǎo)通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能等特�,廣泛應(yīng)用于各種電源管理場景。該器件適用于要求高效能和高可靠性的工業(yè)及消費類電子�(chǎn)��
型號:IPW60R165CP
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電��25°C):165mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):34A
柵極電荷(Qg):19nC
封裝形式:PQFN5x6-8L
工作溫度范圍�-55°C to 175°C
IPW60R165CP具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,能夠降低開�(guān)損�,并支持高頻�(yīng)用�
3. 高雪崩能�,確保在惡劣條件下具備更高的可靠��
4. 小型化的PQFN封裝�(shè)�,節(jié)省了PCB空間,同時提升了散熱性能�
5. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種�(huán)境下的使用需��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝制��
IPW60R165CP適合于多種應(yīng)用場�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的功率級開關(guān)元件�
3. 電機�(qū)動控制電��
4. 工業(yè)逆變器和不間斷電源(UPS��
5. 消費電子�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保護電路�
6. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制開�(guān)�
其高效的特性和緊湊的設(shè)計使其成為眾多功率應(yīng)用的理想選擇�
IPD60R165PFP7, IRF6610