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TPT7741F-SOBR 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 22:13:53 查看 閱讀�9

TPT7741F-SOBR 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET,采� SO-8 封裝形式。該器件廣泛用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)以及其他需要高效功率管理的�(yīng)用場�。其低導通電阻和高電流能力使其成為節(jié)能設(shè)計的理想選擇�
  TPT7741F-SOBR 的主要特點是具有較低的導通電� (Rds(on)),這有助于減少傳導損耗并提高整體效率。同�,它具備良好的開�(guān)特性和� ESD 性能,能夠適�(yīng)各種嚴苛的工作環(huán)��

參數(shù)

型號:TPT7741F-SOBR
  封裝:SO-8
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2.0V � 4.0V
  Rds(on)(導通電�,典型值)�35mΩ(在 Vgs=10V 時)
  最大漏源電� (Vds)�60V
  最大柵源電� (Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流 (Id)�41A
  總功� (Ptot)�32W
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝尺寸�5mm x 6mm

特�

TPT7741F-SOBR 的關(guān)鍵特性包括以下幾點:
  1. 極低的導通電阻:� 10V 柵源�(qū)動電壓下,其 Rds(on) 典型值僅� 35mΩ,顯著降低了傳導損��
  2. 高電流承載能力:� MOSFET 可以支持高達 41A 的連續(xù)漏極電流,適合大功率�(yīng)��
  3. 寬工作電壓范圍:其漏源電� (Vds) 最大可� 60V,適用于多種中低壓系�(tǒng)�
  4. 快速開�(guān)性能:具備快速的開關(guān)速度,可有效減少開關(guān)損��
  5. �(wěn)定性強:即使在極端溫度條件� (-55°C � +150°C),依然能夠保持穩(wěn)定的電氣性能�
  6. 抗靜電能力強:符合人體模� (HBM) ±2kV 和機器模� (MM) ±200V 的抗 ESD 標準�
  7. 小型化設(shè)計:采用標準� SO-8 封裝,節(jié)省電路板空間,便于布局與散熱�

�(yīng)�

TPT7741F-SOBR 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):用于主開關(guān)管或同步整流�,提升轉(zhuǎn)換效率�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器:作為高頻開�(guān)元件,實�(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)�
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS):用作保護開�(guān)或負載切換控制�
  4. 電機�(qū)動:為小型直流電機提供精確的電流控制�
  5. 汽車電子:適用于車載充電器、LED �(qū)動器等對可靠性要求較高的場合�
  6. 工業(yè)自動化:用于工業(yè)控制器中的功率開�(guān)部分�
  7. 消費類電子產(chǎn)品:如筆記本電腦適配�、智能手機快充模塊等�

替代型號

TPT7741E-SOBR, IRFZ44N, FDP5800

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