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IPW60R041C6 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 20:54:20 查看 閱讀�20

IPW60R041C6 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,屬� Infineon � CoolMOS 系列。該器件采用先�(jìn)的工藝技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動和其他功率�(zhuǎn)換應(yīng)用�
  這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-Leadless (TOLL),有助于提高散熱效率并減小系�(tǒng)尺寸�

參數(shù)

型號:IPW60R041C6
  類型:P 溝道 MOSFET
  工作電壓(Vds):600 V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):41 mΩ(典型��25°C 時)
  電流(Id):9.6 A
  柵極電荷(Qg):38 nC(典型值)
  輸入電容(Ciss):1320 pF(典型值)
  輸出電容(Coss):145 pF(典型值)
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝:TO-Leadless (TOLL)

特�

IPW60R041C6 提供了多種優(yōu)勢以滿足�(xiàn)代功率電子設(shè)備的需求:
  1. 高效的能量轉(zhuǎn)換得益于其低�(dǎo)通電阻設(shè)�,可顯著降低傳導(dǎo)損��
  2. 出色的開�(guān)性能源于較低的柵極電�,從而減少了開關(guān)過程中的能量損失�
  3. 支持高頻操作,適合用于各種類型的開關(guān)電源和轉(zhuǎn)換器�
  4. �(yōu)化的熱阻抗設(shè)計使得器件在高負(fù)載條件下依然能夠保持良好的散熱表�(xiàn)�
  5. �(qiáng)大的雪崩能力增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)境友好型使用�

�(yīng)�

IPW60R041C6 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和適配器�(shè)��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降�、升壓以及升降壓�?fù)�?br>  3. 工業(yè)電機(jī)控制和逆變��
  4. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)�
  5. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的家電和消�(fèi)電子�(chǎn)品�
  6. LED �(qū)動器和照明解決方��

替代型號

IPB60R041C6, IPW60R084C6

ipw60r041c6推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipw60r041c6參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPW60R041C6
  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝240
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列CoolMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C77.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C41 毫歐 @ 44.4A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 2.96mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs290nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6530pF @ 10V
  • 功率 - 最�481W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO247-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000718886