IPW60R041C6 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,屬� Infineon � CoolMOS 系列。該器件采用先�(jìn)的工藝技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動和其他功率�(zhuǎn)換應(yīng)用�
這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-Leadless (TOLL),有助于提高散熱效率并減小系�(tǒng)尺寸�
型號:IPW60R041C6
類型:P 溝道 MOSFET
工作電壓(Vds):600 V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):41 mΩ(典型��25°C 時)
電流(Id):9.6 A
柵極電荷(Qg):38 nC(典型值)
輸入電容(Ciss):1320 pF(典型值)
輸出電容(Coss):145 pF(典型值)
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝:TO-Leadless (TOLL)
IPW60R041C6 提供了多種優(yōu)勢以滿足�(xiàn)代功率電子設(shè)備的需求:
1. 高效的能量轉(zhuǎn)換得益于其低�(dǎo)通電阻設(shè)�,可顯著降低傳導(dǎo)損��
2. 出色的開�(guān)性能源于較低的柵極電�,從而減少了開關(guān)過程中的能量損失�
3. 支持高頻操作,適合用于各種類型的開關(guān)電源和轉(zhuǎn)換器�
4. �(yōu)化的熱阻抗設(shè)計使得器件在高負(fù)載條件下依然能夠保持良好的散熱表�(xiàn)�
5. �(qiáng)大的雪崩能力增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)境友好型使用�
IPW60R041C6 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和適配器�(shè)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降�、升壓以及升降壓�?fù)�?br> 3. 工業(yè)電機(jī)控制和逆變��
4. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)�
5. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的家電和消�(fèi)電子�(chǎn)品�
6. LED �(qū)動器和照明解決方��
IPB60R041C6, IPW60R084C6