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MUN5130DW1T1G 發(fā)布時間 時間�2023/3/31 10:53:03 查看 閱讀�785

制造商: ON Semiconductor
�(chǎn)品種�: �(shù)字晶體管

目錄

概述

制造商:ON Semiconductor

�(chǎn)品種類:�(shù)字晶體管

配置:Dual

晶體管極性:PNP

典型輸入電阻器:1 KOhm

典型電阻器比率:1

封裝 / 箱體:SC-70-6

直流電流增益 hFE 最小值:3 @ 5mA @ 10V

集電極—發(fā)射極最大電� VCEO�50 V

集電極連續(xù)電流�- 0.1 A

峰值直流集電極電流�100 mA

功率耗散�250 mW

最大工作溫度:+ 150�

封裝:Reel

最小工作溫度:- 55�

安裝風格:SMD/SMT

資料

廠商
ON Semiconductor

mun5130dw1t1g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mun5130dw1t1g�(chǎn)�

mun5130dw1t1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�2 � PNP 預偏壓式(雙�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�1k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�1k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)3 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 5mA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 功率 - 最�250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商設備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
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