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IPT60R055CFD7XTMA1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 18:46:13 查看 閱讀�35

IPT60R055CFD7XTMA1 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的功率MOSFET,基于TRENCHSTOP?技�(shù)制�。該器件屬于CoolMOS? CFD7系列,專為高效能�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),例如服�(wù)器電�、通信電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及太陽(yáng)能逆變器等。它采用了超薄的TO-Leadless封裝形式(HSD封裝),能夠顯著減少寄生電感并提高散熱性能�
  這款功率MOSFET具備低導(dǎo)通電阻和�(yōu)化的�(kāi)�(guān)特�,可有效降低傳導(dǎo)損耗與�(kāi)�(guān)損耗,從而提升整體系�(tǒng)效率�

參數(shù)

型號(hào):IPT60R055CFD7XTMA1
  類型:P溝道 MOSFET
  額定電壓�600V
  額定電流�29A
  RDS(on)最大值:55mΩ
  柵極電荷Qg�48nC
  輸入電容Ciss�2230pF
  總熱阻RthJA�55�/W
  封裝:HSD(TO-Leadless�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

IPT60R055CFD7XTMA1具有以下主要特性:
  1. 超低�(dǎo)通電阻(RDS(on)�55mΩ),可顯著降低傳�(dǎo)損��
  2. 采用TRENCHSTOP?技�(shù),提供出色的�(kāi)�(guān)性能和可靠��
  3. 柵極電荷(Qg)僅�48nC,有助于�(shí)�(xiàn)快速開(kāi)�(guān)�
  4. 高溫�(wěn)定性,在高�(dá)175℃的工作溫度下仍能保持良好的性能�
  5. HSD封裝�(shè)�(jì),降低了寄生電感,提高了高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中的效��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)境友好�
  7. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
  這些特性使得IPT60R055CFD7XTMA1非常適合需要高效率和高可靠性的電力電子�(yīng)��

�(yīng)�

IPT60R055CFD7XTMA1廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 服務(wù)器及通信電源中的功率因數(shù)校正(PFC)電路�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
  3. 太陽(yáng)能逆變器中的升壓級(jí)或逆變�(jí)�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
  5. �(kāi)�(guān)電源適配��
  由于其高效的�(kāi)�(guān)特性和高耐壓能力,該器件能夠在各種嚴(yán)苛環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,是高性能電力電子系統(tǒng)的理想選��

替代型號(hào)

IPT60R072CFD7XSA1
  IPT60R090CFD7XSA1

ipt60r055cfd7xtma1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipt60r055cfd7xtma1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �76.56000剪切帶(CT�2,000 : �41.83624卷帶(TR�
  • 系列CoolMOS? CFD7
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)44A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)55 毫歐 @ 15.1A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4.5V @ 760μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)67 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)2721 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)236W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PG-HSOF-8-1
  • 封裝/外殼8-PowerSFN