IPT60R055CFD7XTMA1 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的功率MOSFET,基于TRENCHSTOP?技�(shù)制�。該器件屬于CoolMOS? CFD7系列,專為高效能�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),例如服�(wù)器電�、通信電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及太陽(yáng)能逆變器等。它采用了超薄的TO-Leadless封裝形式(HSD封裝),能夠顯著減少寄生電感并提高散熱性能�
這款功率MOSFET具備低導(dǎo)通電阻和�(yōu)化的�(kāi)�(guān)特�,可有效降低傳導(dǎo)損耗與�(kāi)�(guān)損耗,從而提升整體系�(tǒng)效率�
型號(hào):IPT60R055CFD7XTMA1
類型:P溝道 MOSFET
額定電壓�600V
額定電流�29A
RDS(on)最大值:55mΩ
柵極電荷Qg�48nC
輸入電容Ciss�2230pF
總熱阻RthJA�55�/W
封裝:HSD(TO-Leadless�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
IPT60R055CFD7XTMA1具有以下主要特性:
1. 超低�(dǎo)通電阻(RDS(on)�55mΩ),可顯著降低傳�(dǎo)損��
2. 采用TRENCHSTOP?技�(shù),提供出色的�(kāi)�(guān)性能和可靠��
3. 柵極電荷(Qg)僅�48nC,有助于�(shí)�(xiàn)快速開(kāi)�(guān)�
4. 高溫�(wěn)定性,在高�(dá)175℃的工作溫度下仍能保持良好的性能�
5. HSD封裝�(shè)�(jì),降低了寄生電感,提高了高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中的效��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)境友好�
7. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
這些特性使得IPT60R055CFD7XTMA1非常適合需要高效率和高可靠性的電力電子�(yīng)��
IPT60R055CFD7XTMA1廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 服務(wù)器及通信電源中的功率因數(shù)校正(PFC)電路�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
3. 太陽(yáng)能逆變器中的升壓級(jí)或逆變�(jí)�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
5. �(kāi)�(guān)電源適配��
由于其高效的�(kāi)�(guān)特性和高耐壓能力,該器件能夠在各種嚴(yán)苛環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,是高性能電力電子系統(tǒng)的理想選��
IPT60R072CFD7XSA1
IPT60R090CFD7XSA1