IPP65R190CFD是英飛凌(Infineon)推出的一款N溝道功率MOSFET,采用TOLL封裝。該器件主要面向工業(yè)和汽車應(yīng)用領(lǐng)�,適用于高效能開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及可再生能源系�(tǒng)等場(chǎng)�。其�(yōu)化的�(dǎo)通電阻和柵極電荷特性使得IPP65R190CFD在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)具備良好的熱性能和可靠��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓VDS�650 V
最大連續(xù)漏極電流ID�74 A
�(dǎo)通電阻RDS(on)�190 mΩ(典型��25°C下)
柵極電荷Qg�35 nC(典型值)
總柵極電荷Qgt�55 nC(典型值)
�(kāi)�(guān)速度:快速恢�(fù)
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:TOLL
IPP65R190CFD具有出色的電氣特性和可靠�,能夠滿足高功率密度和高效能�(shè)�(jì)需求�
1. 高耐壓能力:額定漏源電壓為650V,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景,如工�(yè)電源和電�(dòng)車充電系�(tǒng)�
2. 低導(dǎo)通損耗:在標(biāo)�(zhǔn)條件下,�(dǎo)通電阻僅�190mΩ,從而降低傳�(dǎo)�(guò)程中的能量損��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:較低的柵極電荷�35nC�,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并提升工作效率�
4. 熱增�(qiáng)封裝:TOLL封裝提供卓越的散熱性能,支持更高的功率處理能力和更小的�(shè)�(jì)體積�
5. 良好的魯棒性:能夠在極端溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
IPP65R190CFD適用于多種高效率電力電子�(shè)備:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 太陽(yáng)能逆變�
4. 電動(dòng)汽車充電�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
6. 不間斷電源(UPS�
7. LED照明�(qū)�(dòng)電路
由于其高性能和可靠�,這款MOSFET特別適合需要頻繁開(kāi)�(guān)操作或高�(fù)載的�(yīng)用場(chǎng)��
IPP65R172C_E1_T0