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IPL60R299CP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 14:50:34 查看 閱讀�25

IPL60R299CP 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的功� MOSFET,屬� CoolMOS 系列。該器件采用先�(jìn)的超�(jí)�(jié)技�(shù)�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)效率的特�(diǎn),適用于各種高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用�
  該型�(hào)的主要特�(diǎn)是其�(yōu)化的�(dòng)�(tài)性能和出色的熱穩(wěn)定�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率�

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道 MOSFET
  封裝:DPAK (TO-263)
  VDS(漏源極電壓):650 V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�299 mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):14.7 A
  柵極電荷(Qg):36 nC
  輸入電容(Ciss):2800 pF
  輸出電容(Coss):260 pF
  反向恢復(fù)�(shí)間(trr):30 ns

特�

IPL60R299CP 采用了英飛凌� CoolMOS 技�(shù),能夠在高頻工作條件下保持高效運(yùn)�。其主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),可顯著降低傳導(dǎo)損��
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
  3. 出色的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下也能�(wěn)定工��
  4. 較低的柵極電荷和輸出電容,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
  6. 可靠性高,使用壽命長(zhǎng),適合工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)��

�(yīng)�

IPL60R299CP 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,如適配器、充電器��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電源管��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng),特別是小功率直流電�(jī)控制�
  4. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
  6. 各種需要高頻開(kāi)�(guān)和高效功率管理的電子�(shè)備�

替代型號(hào)

IPL60R270CP, IPL60R289CP

ipl60r299cp推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ipl60r299cp參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPL60R299CP
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列CoolMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11.1A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C299 毫歐 @ 6.6A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3.5V @ 440µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 100V
  • 功率 - 最�96W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼4-TSFN 裸露焊盤(pán)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-VSON-4
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IPL60R299CP-NDIPL60R299CPAUMA1SP000841896