IPD80R3K3P7是一種高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)模式電源等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)的整體性能�
該芯片適用于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)�,例如服�(wù)器電源、通信�(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化等。其�(shè)�(jì)注重散熱性能和電氣穩(wěn)定性,確保在各種嚴(yán)苛的工作條件下仍能保持優(yōu)良的表現(xiàn)�
型號(hào):IPD80R3K3P7
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源電壓)�650V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�3.1mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):80A
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55� � +175�
IPD80R3K3P7具備以下幾�(gè)顯著特點(diǎn)�
1. 高擊穿電壓:650V的漏源電壓使其適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)用�
2. 極低的導(dǎo)通電阻:3.1mΩ的Rds(on)有效減少了導(dǎo)通損�,提升了系統(tǒng)效率�
3. 大電流承載能力:支持高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率需求�
4. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量測(cè)�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)行�
5. 快速開(kāi)�(guān)速度:降低了�(kāi)�(guān)損�,并提高了高頻應(yīng)用中的表�(xiàn)�
6. 熱性能�(yōu)異:�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)有助于提高散熱效果,延長(zhǎng)使用壽命�
IPD80R3K3P7適用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
3. 太陽(yáng)能逆變�
4. 電動(dòng)車牽引逆變�
5. 不間斷電源(UPS�
6. 通信電源系統(tǒng)
由于其高效率和高可靠性,該芯片在需要高功率密度和低能耗的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
IPW80R036C6, IRFB3907TRPBF