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IPD530N15N3G 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 11:09:11 查看 閱讀�6

IPD530N15N3G是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由Infineon Technologies生產(chǎn)。該器件屬于OptiMOS系列,采用了先進的溝槽式技�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能。這種MOSFET適用于各種電源管理應用,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和負載開關等。其封裝形式為PG-TRENCHMOS3,能夠滿足高效能和緊湊設計的需��
  這款器件的主要特點在于其�(yōu)化的動態(tài)和靜�(tài)特性,使其在高頻開關應用中表現(xiàn)出色。同時,由于其較低的柵極電荷和輸出電�,IPD530N15N3G能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)�,并降低整體系統(tǒng)能��

參數(shù)

型號:IPD530N15N3G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  封裝:PG-TRENCHMOS3 (TO-Leadless)
  Vds(漏源電壓)�150V
  Rds(on)(導通電阻,典型值)�5.3mΩ
  Id(連續(xù)漏電流)�530A
  Qg(總柵極電荷):62nC
  EAS(雪崩能量)�34.7mJ
  Vgs(柵源電壓):�20V
  Tj(結溫范圍)�-55°C�175°C

特�

IPD530N15N3G具備以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損耗,提高效率�
  2. 高額定電流能力(530A),支持大功率應��
  3. 快速開關性能,得益于低柵極電荷和輸出電荷,適合高頻電��
  4. 增強的熱�(wěn)定�,能夠在較高溫度范圍�(nèi)可靠運行�
  5. 強大的雪崩能�,提高了器件在異常條件下的耐用��
  6. 小型化的無引腳封裝設�,節(jié)省了PCB空間并改善了散熱性能�
  這些特性使得該MOSFET成為高效電源管理和功率轉(zhuǎn)換的理想選擇�

應用

IPD530N15N3G廣泛應用于以下領域:
  1. 工業(yè)設備中的電機�(qū)動器,如伺服�(qū)動和變頻��
  2. 太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模塊�
  3. �(shù)�(jù)中心和電信設備中的DC-DC�(zhuǎn)換器�
  4. 電動汽車和混合動力汽車中的車載充電器和逆變器�
  5. 各種類型的負載開關和保護電路�
  由于其卓越的性能和可靠�,這款MOSFET特別適合需要高效率、高功率密度和高溫穩(wěn)定性的應用場景�

替代型號

IPW50R055C6, IRFB4110TRPBF, FDP5500

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