IPD50N06S4-09是一種基于氮化硅(SiC)技�(shù)的MOSFET器件,專為高頻、高效開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和高耐壓能力的特�,適合用于電源管�、電機驅(qū)動以及工�(yè)控制等領(lǐng)��
相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,IPD50N06S4-09通過�(yōu)化溝道結(jié)�(gòu)和材料特�,大幅提升了功率密度和效�,同時減少了系統(tǒng)級的能量損��
額定電壓�650V
額定電流�50A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�80nC
反向恢復(fù)時間�30ns
工作溫度范圍�-55� to +175�
IPD50N06S4-09采用先進的碳化硅(SiC)制造工�,提供卓越的電氣性能和熱�(wěn)定��
主要特性包括:
1. 高擊穿電壓和低導(dǎo)通電�,有效減少傳�(dǎo)損耗�
2. 快速開�(guān)速度和低柵極電荷,降低開�(guān)損耗并提升效率�
3. 耐高溫能�,在極端溫度�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運行�
4. 低反向恢�(fù)電荷,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
5. 小型化封裝設(shè)計,簡化PCB布局并節(jié)省空��
此外,IPD50N06S4-09還具備優(yōu)異的抗電磁干擾性能和更高的可靠�,使其成為下一代高效電力電子系�(tǒng)的理想選��
IPD50N06S4-09廣泛�(yīng)用于各類高功率密度和高頻工作的場�,具體包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和不間斷電源(UPS��
2. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
3. 電動汽車(EV)車載充電器和牽引逆變��
4. 工業(yè)電機�(qū)動和伺服控制系統(tǒng)�
5. LED照明�(qū)動和高效DC-DC�(zhuǎn)換器�
由于其高性能表現(xiàn),IPD50N06S4-09特別適合需要高效率、高可靠性和緊湊�(shè)計的�(yīng)用場��
IPD50N06S3-09
STP50NE06S
CSD19536KCS