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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD50N04S4L-08

IPD50N04S4L-08 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 19:30:05 查看 閱讀�22

IPD50N04S4L-08是一款N溝道功率MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高效能電源管理應(yīng)�。其額定電壓�40V,最大持�(xù)漏極電流可達(dá)50A,非常適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高性能開關(guān)的場(chǎng)��
  該型�(hào)中的‘IPD’代表英飛凌(Infineon)的功率分立�(chǎn)品系�,而具體編�(hào)則標(biāo)�(shí)了產(chǎn)品的技�(shù)�(guī)格與封裝形式。這款MOSFET采用TO-247-3封裝,具備良好的散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�40V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�50A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ (典型�,Vgs=10V)
  總柵極電�(Qg)�95nC
  輸入電容(Ciss)�4360pF
  輸出電容(Coss)�200pF
  反向傳輸電容(Crss)�85pF
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,能夠有效減少開�(guān)損��
  3. 高雪崩能�,確保在異常條件下也能安全運(yùn)行�
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
  5. 提供可靠的電氣隔�,防止干擾信�(hào)影響整體電路�(wěn)定��
  6. 廣泛的工作溫度范圍使其能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定工作�
  7. 通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì)以滿足高頻開�(guān)�(yīng)用的需��

�(yīng)�

IPD50N04S4L-08廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)的負(fù)載開�(guān)�
  4. 新能源領(lǐng)域如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)車充電裝��
  5. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  6. 各種高效能要求的電源管理模塊�

替代型號(hào)

IPP50N04S4L-08, IRF540N, FDP5020N

ipd50n04s4l-08推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd50n04s4l-08參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD50N04S4L-08
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.3 毫歐 @ 50A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 17µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2340pF @ 25V
  • 功率 - 最�46W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3-313
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD50N04S4L08ATMA1SP000711456