IPD50N04S4L-08是一款N溝道功率MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高效能電源管理應(yīng)�。其額定電壓�40V,最大持�(xù)漏極電流可達(dá)50A,非常適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高性能開關(guān)的場(chǎng)��
該型�(hào)中的‘IPD’代表英飛凌(Infineon)的功率分立�(chǎn)品系�,而具體編�(hào)則標(biāo)�(shí)了產(chǎn)品的技�(shù)�(guī)格與封裝形式。這款MOSFET采用TO-247-3封裝,具備良好的散熱性能�
最大漏源電�(Vds)�40V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�50A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ (典型�,Vgs=10V)
總柵極電�(Qg)�95nC
輸入電容(Ciss)�4360pF
輸出電容(Coss)�200pF
反向傳輸電容(Crss)�85pF
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-247-3
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,能夠有效減少開�(guān)損��
3. 高雪崩能�,確保在異常條件下也能安全運(yùn)行�
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
5. 提供可靠的電氣隔�,防止干擾信�(hào)影響整體電路�(wěn)定��
6. 廣泛的工作溫度范圍使其能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定工作�
7. 通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì)以滿足高頻開�(guān)�(yīng)用的需��
IPD50N04S4L-08廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)的負(fù)載開�(guān)�
4. 新能源領(lǐng)域如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)車充電裝��
5. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
6. 各種高效能要求的電源管理模塊�
IPP50N04S4L-08, IRF540N, FDP5020N