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FQP6N60 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 19:06:39 查看 閱讀�22

FQP6N60是一種N溝道功率場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,適用于高電壓開�(guān)�(yīng)�。該器件采用TO-220封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合于電源管理、電機驅(qū)�、逆變器和其他需要高效能開關(guān)的應(yīng)用場景�
  它具備出色的雪崩擊穿能力和良好的熱穩(wěn)定�,因此在實際使用中能夠承受較大的瞬態(tài)電流而不損壞�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  柵極閾值電壓:2V~4V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�3.5Ω
  功耗:10W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃~150�

特�

FQP6N60具備較高的耐壓能力,可以支持高�600伏的工作電壓,這使其非常適合高壓環(huán)境中的開�(guān)操作。此�,它的導(dǎo)通電阻較低,有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
  同時,該器件還擁有較快的開關(guān)速度,能夠有效降低開�(guān)損�,并且其熱穩(wěn)定性良�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠運行�
  另外,F(xiàn)QP6N60的雪崩擊穿能力較�,這意味著即使在異常情況下出現(xiàn)過大的瞬�(tài)電流,該器件也能承受而不至于立即失效�

�(yīng)�

FQP6N60廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于開�(guān)電源、直�-直流�(zhuǎn)換器、逆變器、不間斷電源(UPS�、電機控制電路以及太陽能�(fā)電系�(tǒng)�。在這些�(yīng)用中,它可以作為高效的開�(guān)元件來實�(xiàn)能量�(zhuǎn)換與控制功能�

替代型號

IRF640N
  FDP6N60
  STP6NK60Z

fqp6n60推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqp6n60資料 更多>

  • 描述
  • 品牌
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fqp6n60參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 歐姆 @ 3.1A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 25V
  • 功率 - 最�130W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件