IPD30N03S4L-14是一款高性能的MOSFET功率晶體�,屬于Infineon Technologies推出的OptiMOS系列。該器件采用Trench技�(shù)制�,具備極低的�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�。其額定電壓�30V,適用于低壓系統(tǒng)中的DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等應(yīng)�。這款MOSFET采用了Power-SO8封裝形式,具有緊湊的外形尺寸和良好的散熱性能�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�27A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.6mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)速度:快速開�(guān)
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝類型:Power-SO8
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提高效率�
2. 快速開�(guān)性能,支持高頻操作,減少開關(guān)損��
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒��
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),確保在高功率密度應(yīng)用中的可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求�
6. 良好的電磁兼容性(EMC�,降低了�(duì)外部干擾的敏感度�
1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器
2. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模�
6. LED�(qū)�(dòng)器和其他低壓功率�(zhuǎn)換應(yīng)�
IPD26N, IPB026N03L-14