IPC100N04S5-1R2 時間：2025/5/23 0:52:41 閱讀：10

IPC100N04S5-1R2是一款高性能的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）器件，專為高頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的工藝技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，適合用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。
　　該型號屬于Infineon Technologies（英飛凌科技）推出的IPA系列功率MOSFET產(chǎn)品線。其封裝形式為TO-Leadless（TOLL），這種封裝能夠顯著降低寄生電感并提高熱性能。

參數(shù)

類型：N溝道 MOSFET
　　最大漏源電壓(V_DSS)：40V
　　連續(xù)漏極電流(I_D)：100A
　　導(dǎo)通電阻(R_DS(on))：1.2mΩ
　　柵極電荷(Q_g)：78nC
　　輸入電容(C_iss)：3060pF
　　輸出電容(C_oss)：930pF
　　反向恢復(fù)時間(t_rr)：45ns
　　工作結(jié)溫范圍(T_j)：-55°C 至 175°C
　　封裝形式：TO-Leadless (TOLL)

特性

IPC100N04S5-1R2具備出色的電氣性能和可靠性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（R_DS(on) = 1.2mΩ），能夠在高電流應(yīng)用場景下減少功耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速的開關(guān)速度，得益于其優(yōu)化的柵極電荷（Q_g = 78nC），非常適合高頻應(yīng)用。
　　3. 高額定電流能力（I_D = 100A），使其能夠滿足大功率負(fù)載的需求。
　　4. 封裝采用TO-Leadless技術(shù)，有效降低了寄生電感，同時提高了散熱性能。
　　5. 廣泛的工作溫度范圍（-55°C至175°C），確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 出色的抗雪崩能力和魯棒性，進(jìn)一步提升了器件的可靠性。
　　這些特性使得IPC100N04S5-1R2成為工業(yè)電源、電動汽車充電設(shè)備以及數(shù)據(jù)中心供電模塊中的理想選擇。

應(yīng)用

IPC100N04S5-1R2適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)驅(qū)動控制器
　　4. 太陽能逆變器
　　5. 電動汽車充電站
　　6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊
　　7. 不間斷電源（UPS）系統(tǒng)
　　由于其卓越的性能，這款MOSFET特別適合需要高效率、高可靠性和高功率密度的應(yīng)用場景。