日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好，歡迎來(lái)到維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置：電子元器件采購(gòu)網(wǎng) > IC百科 > IPD122N10N3G

IPD122N10N3G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/27 9:34:01 查看 閱讀：8

IPD122N10N3G是一款高性能的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），由Infineon Technologies制造。該器件采用N溝道技術(shù)，適用于高效率開(kāi)關(guān)應(yīng)用和電源管理領(lǐng)域。其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)功率轉(zhuǎn)換和節(jié)能的需求。
　　這款MOSFET廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換以及其他需要高效功率管理的場(chǎng)景中。得益于其優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)和封裝技術(shù)，IPD122N10N3G能夠在高頻工作條件下保持優(yōu)異的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

額定電壓：100V
　　連續(xù)漏極電流：122A
　　導(dǎo)通電阻：1.5mΩ
　　柵極電荷：95nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：典型值ton=8ns，toff=16ns
　　結(jié)溫范圍：-55℃至175℃
　　封裝形式：D2PAK (TO-263)

特性

IPD122N10N3G具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）使其在高電流應(yīng)用中能夠減少功率損耗并提高效率。
　　2. 高額定電壓（100V）確保了其在多種高壓環(huán)境下的可靠性。
　　3. 快速的開(kāi)關(guān)速度有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，并支持高頻操作。
　　4. 大電流處理能力（122A）使其非常適合大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
　　5. 良好的熱性能和高結(jié)溫范圍（最高175℃）增強(qiáng)了器件的耐用性和穩(wěn)定性。
　　6. D2PAK封裝提供了出色的散熱特性和機(jī)械強(qiáng)度，同時(shí)便于PCB板上的安裝與維護(hù)。

應(yīng)用

IPD122N10N3G的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS），例如適配器和充電器。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流和功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的逆變橋臂或斬波器。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)。
　　5. 新能源系統(tǒng)，如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)中的功率管理模塊。
　　6. 任何需要高效功率轉(zhuǎn)換和低損耗開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

IPW120N10S3G, IRFB3207, FDP158N10ASL

ipd122n10n3g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)