IPD082N10N3 G是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,由Infineon Technologies生產(chǎn)。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于各種高效能�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。此型號(hào)為N通道增強(qiáng)型MOSFET,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�8.2A
�(dǎo)通電阻:5.7mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷�29nC
輸入電容�1440pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
IPD082N10N3 G的主要特�(diǎn)是其卓越的電氣性能和可靠性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在高電流應(yīng)用中顯著減少功率損耗�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,可支持高頻操作�?xún)?yōu)化電路設(shè)�(jì)�
3. 高雪崩擊穿能量(EAS)確保了器件在異常情況下的穩(wěn)健��
4. 小型封裝選項(xiàng)有助于節(jié)省PCB空間�
5. 寬泛的工作溫度范圍使其適�(yīng)惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
這款MOSFET適用于多種工�(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開(kāi)�(guān)元件�
3. 各類(lèi)電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,包括步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)��
4. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路,用于便攜式電子�(shè)備�
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制開(kāi)�(guān)�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)傳輸與功率控制�
IPW100N10S3G, IRF840