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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD082N10N3 G

IPD082N10N3 G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 0:38:03 查看 閱讀�34

IPD082N10N3 G是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,由Infineon Technologies生產(chǎn)。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于各種高效能�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。此型號(hào)為N通道增強(qiáng)型MOSFET,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�8.2A
  �(dǎo)通電阻:5.7mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�29nC
  輸入電容�1440pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

IPD082N10N3 G的主要特�(diǎn)是其卓越的電氣性能和可靠性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在高電流應(yīng)用中顯著減少功率損耗�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,可支持高頻操作�?xún)?yōu)化電路設(shè)�(jì)�
  3. 高雪崩擊穿能量(EAS)確保了器件在異常情況下的穩(wěn)健��
  4. 小型封裝選項(xiàng)有助于節(jié)省PCB空間�
  5. 寬泛的工作溫度范圍使其適�(yīng)惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��

�(yīng)�

這款MOSFET適用于多種工�(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開(kāi)�(guān)元件�
  3. 各類(lèi)電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,包括步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)��
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路,用于便攜式電子�(shè)備�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制開(kāi)�(guān)�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)傳輸與功率控制�

替代型號(hào)

IPW100N10S3G, IRF840

ipd082n10n3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ipd082n10n3 g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

ipd082n10n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPx08xN10N3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C80A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.2 毫歐 @ 73A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3.5V @ 75µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3980pF @ 50V
  • 功率 - 最�125W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線(xiàn)+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)SP000485986