DPX165950DT-8126A1是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適用于直流-直流�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、電源管理模塊等�(yīng)用領(lǐng)��
其封裝形式緊湊,能夠有效降低系統(tǒng)體積并提升散熱性能,同�(shí)具備出色的電氣特性和可靠�,可滿足多種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備的需求�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�35A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷�45nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-3
DPX165950DT-8126A1的核心優(yōu)�(shì)在于其低�(dǎo)通電阻和高效率表�(xiàn)。通過(guò)�(yōu)化的硅片�(shè)�(jì),該芯片能夠在高頻開(kāi)�(guān)條件下保持較低的功耗,從而提高整體系�(tǒng)的能效水��
此外,它還具備強(qiáng)大的�(guò)流保�(hù)功能和熱�(wěn)定�,確保在極端�(huán)境下的可靠運(yùn)�。芯片的封裝采用了強(qiáng)化散熱技�(shù),能夠有效將熱量散發(fā)到外�,延�(zhǎng)器件使用壽命�
在動(dòng)�(tài)性能方面,該MOSFET擁有較小的柵極電荷和輸入電容,有助于�(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度,并減少�(kāi)�(guān)損�。同�(shí),它的短路耐受能力較強(qiáng),�(jìn)一步提升了�(chǎn)品的安全性和魯棒��
該型�(hào)廣泛�(yīng)用于各類高效能電力轉(zhuǎn)換和控制�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流
- 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切�
- 新能源汽�(chē)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)
- LED照明�(qū)�(dòng)電路
由于其卓越的性能,DPX165950DT-8126A1成為眾多工程師在�(shè)�(jì)高要求電子產(chǎn)品時(shí)的首選元件�
DPX165950DT-8126B1
IRF840
FQP50N06L