IPD050N10N5 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,由 Infineon(英飛凌)公司生�(chǎn)。該器件采用先進的溝槽式技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式� TO-Leadless (TOLL),有助于實現(xiàn)更高的功率密度和更小的系�(tǒng)尺寸。該芯片廣泛�(yīng)用于汽車電子、工�(yè)控制和消費類電子�(chǎn)品中的高效能開關(guān)�(yīng)��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�52A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.6mΩ
柵極電荷(典型值)�78nC
反向恢復(fù)時間�39ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
封裝形式:TOLL
IPD050N10N5 具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損��
它采用了 Infineon � CoolMOS 技�(shù),能夠在高功率密度的�(yīng)用中提供卓越的效率和可靠性�
� TOLL 封裝不僅減小了寄生電�,還�(yōu)化了散熱性能,非常適合高頻開�(guān)場景�
此外,該器件具備強大的短路耐受能力和良好的� EMI 性能,適合在惡劣�(huán)境下運行�
IPD050N10N5 主要用于需要高性能開關(guān)的場合,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、逆變器以及太陽能微型逆變器等�
在汽車領(lǐng)域,它可以應(yīng)用于電動助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS�、電池管理系�(tǒng)(BMS)和車載充電��
同時,這款 MOSFET 還適用于工業(yè)自動化設(shè)備中的開�(guān)電源和功率轉(zhuǎn)換模��
IPW050N10N5,
IPP050N10N5,
IPP050N10N4L