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STFW3N170 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 21:40:10 查看 閱讀�23

STFW3N170 是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一� N 沃特 (N-Channel) 超級(jí)�(jié)功率 MOSFET。該器件采用先�(jìn)的超�(jí)�(jié)技�(shù),具有低�(dǎo)通電�、高效率和快速開�(guān)性能等特�(diǎn),非常適合于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、PFC(功率因�(shù)校正)電路以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)��
  STFW3N170 的額定電壓為 650V,能夠承受較高的漏源電壓,同�(shí)具備較低� Rds(on),使其在各種功率�(zhuǎn)換場景中表現(xiàn)出色。其封裝形式通常� TO-247 � D2PAK,適合表面貼裝和插件�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�17A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.09Ω
  柵極電荷(Qg):78nC
  輸入電容(Ciss):2140pF
  反向恢復(fù)�(shí)間(trr):75ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

STFW3N170 采用超級(jí)�(jié)技�(shù)�(shè)�(jì),具有以下特�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,支持高頻操作,適用于開�(guān)電源和其他高頻應(yīng)用場��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性和可靠性�
  4. 柵極電荷較小,可降低�(qū)�(dòng)功��
  5. 具有出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�

�(yīng)�

STFW3N170 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
  2. 功率因數(shù)校正(PFC)電路中的升壓開�(guān)�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓�(zhuǎn)��
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率開關(guān)�
  5. 工業(yè)電源和逆變器中的功率開�(guān)元件�
  6. 太陽能微逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率管理組件�

替代型號(hào)

STW45N100HD, FDP15N65SBD, IRFB3207

stfw3n170推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stfw3n170資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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stfw3n170參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �50.16000管件
  • 系列PowerMESH?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�1700 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)2.6A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)13 歐姆 @ 1.3A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)44 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1100 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)63W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-3PF
  • 封裝/外殼TO-3P-3 整包