IPD031N03L G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 SMD 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特性,適用于多種開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)��
這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足高效能需求的�(yīng)用場�,同時其封裝形式有助于簡化電路板布局并提高系�(tǒng)的可靠性�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�31A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�7nC
總電容:980pF
工作溫度范圍�-55� to 150�
IPD031N03L G 具有以下主要特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著減少功率損��
2. 快速開�(guān)性能,能夠支持高頻操�,降低開�(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,提高了在過載或短路情況下的耐用��
4. 小巧的封裝設(shè)�(jì),便� PCB 布局�(yōu)��
5. 可靠的熱性能,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
IPD031N03L G 廣泛�(yīng)用于需要高效能和小體積的場景中,例如:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 電機(jī)�(qū)動與控制�
4切換�
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)�
6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模��
IPD030N03L G, IPD032N03L G