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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD031N03L G

IPD031N03L G 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 11:10:15 查看 閱讀�39

IPD031N03L G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 SMD 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特性,適用于多種開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)��
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足高效能需求的�(yīng)用場�,同時其封裝形式有助于簡化電路板布局并提高系�(tǒng)的可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�31A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�7nC
  總電容:980pF
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

IPD031N03L G 具有以下主要特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著減少功率損��
  2. 快速開�(guān)性能,能夠支持高頻操�,降低開�(guān)損��
  3. 高雪崩能量能�,提高了在過載或短路情況下的耐用��
  4. 小巧的封裝設(shè)�(jì),便� PCB 布局�(yōu)��
  5. 可靠的熱性能,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��

�(yīng)�

IPD031N03L G 廣泛�(yīng)用于需要高效能和小體積的場景中,例如:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 電機(jī)�(qū)動與控制�
  4切換�
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)�
  6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模��

替代型號

IPD030N03L G, IPD032N03L G

ipd031n03l g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd031n03l g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD031N03L G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C90A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.1 毫歐 @ 30A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs51nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5300pF @ 15V
  • 功率 - 最�94W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD021N03LGIPD021N03LGINTRIPD021N03LGINTR-NDIPD031N03LGXTSP000236957SP000680554