IPB65R190CFDA是英飛凌(Infineon)推出的一款基于TRENCHSTOP?技�(shù)的功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝形式,適用于高效率開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)��
這款MOSFET具有較低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)整體效率。同�,它具備較高的雪崩擊穿能力和熱穩(wěn)定�,從而增強了在嚴苛環(huán)境下的可靠��
型號:IPB65R190CFDA
封裝:TO-247
V(DSS)(漏源極電壓):650 V
RDS(ON)(導通電�,典型值@Vgs=10V):190 mΩ
Qg(總柵極電荷):37 nC
Ciss(輸入電容)�2080 pF
f(t-th)(熱時間常數(shù)):2 ms
T(j)(結(jié)溫范圍)�-55� to +175�
IPB65R190CFDA具有低導通電阻特�,在額定條件下其典型值為190毫歐�,可顯著降低功率損��
該芯片采用了先進的TRENCHSTOP?技�(shù),這不僅提升了器件的電氣性能,還改善了散熱表�(xiàn)�
此外,此款MOSFET擁有高達650伏的耐壓能力,確保其能夠在高壓環(huán)境下�(wěn)定工��
器件的快速開�(guān)速度以及�(yōu)化的dv/dt控制�(shè)�,進一步減少了開關(guān)損�,并且提高了電磁兼容性表�(xiàn)�
IPB65R190CFDA還具備出色的雪崩擊穿能力,使其可以承受短暫的過載情況而不損壞,增加了系統(tǒng)的安全性�
IPB65R190CFDA廣泛�(yīng)用于工業(yè)與汽車領(lǐng)域中需要高效能功率�(zhuǎn)換的場合�
在工�(yè)�(yīng)用方面,它可以用于不間斷電源(UPS�、太陽能逆變器以及各種類型的開關(guān)模式電源(SMPS��
對于消費類電子產(chǎn)品而言,該MOSFET適合于筆記本電腦適配�、電視機電源等產(chǎn)��
此外,在電動車充電設(shè)施及電機控制系統(tǒng)中也有著良好的應(yīng)用前��
IPW65R190CFD, IPP60R190CP