CGA2B2NP01H020C050BA 是一款由住友電工(Sumitomo Electric)生�(chǎn)的高性能 GaN(氮化鎵)基高電子遷移率晶體管(HEMT�。該型號(hào)采用先�(jìn)� GaN 技�(shù),能夠在高頻和高功率�(yīng)用中表現(xiàn)出卓越的性能。這種器件通常被用于射頻功率放大器、通信系統(tǒng)以及雷達(dá)等對(duì)效率和帶寬有極高要求的應(yīng)用場(chǎng)��
其封裝設(shè)�(jì)緊湊且具備良好的散熱性能,適合在高溫�(huán)境下工作。同�(shí),它還具有低寄生電容和高增益的特�(diǎn),有助于提高系統(tǒng)的整體性能�
類型:GaN HEMT
額定電壓�100 V
額定電流�5 A
最大輸出功率:40 W
頻率范圍:DC � 3 GHz
增益:大� 12 dB
輸入匹配�(wǎng)�(luò):集�
輸出匹配�(wǎng)�(luò):可選配
封裝形式:陶瓷氣密封�
工作溫度范圍�-55°C � +100°C
CGA2B2NP01H020C050BA 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高擊穿電壓:能夠承受高達(dá) 100V 的漏源電�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
2. 低導(dǎo)通電阻:由于采用� GaN 技�(shù),該器件的導(dǎo)通電阻極�,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了效��
3. 寬帶寬支持:該晶體管覆蓋從直流到 3GHz 的頻率范�,非常適合需要寬帶操作的�(yīng)用場(chǎng)��
4. 高增益:在典型工作條件下,CGA2B2NP01H020C050BA 提供超過(guò) 12dB 的增�,增�(qiáng)了信�(hào)�(qiáng)��
5. �(yōu)秀的線性度:該�(chǎn)品在線性應(yīng)用中表現(xiàn)出色,有助于減少失真并提升通信�(zhì)��
6. 良好的熱管理:陶瓷氣密封裝設(shè)�(jì)�(jié)合高效的散熱路徑,保證了器件在極端溫度條件下的可靠性�
這款 GaN HEMT 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 射頻功率放大器:用于�(wú)線基�(chǔ)�(shè)施中的基站設(shè)�,提供高效穩(wěn)定的信號(hào)放大�
2. 軍事與航空航天:適用于雷�(dá)系統(tǒng)和衛(wèi)星通信,因其耐高溫特性和高可靠性而備受青��
3. �(yī)療成像:超聲波設(shè)備中的發(fā)�/接收模塊可能使用此類型的功率放大器以�(shí)�(xiàn)更高的分辨率�
4. 工業(yè)加熱及等離子體控制:如無(wú)線電頻率�(qū)�(dòng)的等離子體發(fā)生器,用于材料處理或表面改性過(guò)��
5. �(cè)試與�(cè)�?jī)x器:為高端示波器或其他精密測(cè)試裝置提供精確的信號(hào)��
CGA2B2NP01H020C050AA, CGA2B2NP01H020C050BB