IPB110N20N3LF是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的高壓功率MOSFET,采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù)。該器件適用于高電壓、大電流的開�(guān)�(yīng)用,具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開�(guān)性能。其封裝形式為TO-263(D2PAK),適合表面貼裝工藝,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電源管理以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域�
這款MOSFET的最大額定電壓為200V,能夠滿足多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景的需�。同�(shí),其低導(dǎo)通電阻特性有助于減少功率損�,提高整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:200V
最大連續(xù)漏極電流�110A
�(dǎo)通電阻(典型值)�8.5mΩ
柵極電荷�47nC
輸入電容�3100pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
IPB110N20N3LF具備以下主要特性:
1. 高電壓處理能�,支持高�(dá)200V的工作電�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),顯著降低了傳�(dǎo)損�,提升了系統(tǒng)的效��
3. 快速開�(guān)速度,得益于較小的柵極電荷和�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)�
4. 高雪崩能量承受能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代制造工藝要��
6. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性,能夠在寬廣的工作溫度范圍�(nèi)保持性能�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于需要高�、高效能的場(chǎng)景中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)元件�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于精確控制電�(jī)速度和方��
3. 太陽能逆變器中的功率開�(guān)組件�
4. 電動(dòng)車及混合�(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)�
5. 各種電磁閥驅(qū)�(dòng)和負(fù)載切換應(yīng)��
其強(qiáng)大的電流承載能力和快速開�(guān)特性使得它非常適合于對(duì)效率和可靠性有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)��
IPW110N20N3_G, IRFB4110TRPBF