JSM80N80C是一款高性能的MOSFET功率晶體管,采用N溝道增強(qiáng)型技術(shù)。它適用于高電壓和大電流的應(yīng)用場(chǎng)景,具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度以及出色的熱穩(wěn)定性等特性。這款芯片廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。
該器件使用TO-247封裝形式,便于散熱和集成到各種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。
最大漏源電壓:800V
最大連續(xù)漏極電流:80A
導(dǎo)通電阻:0.12Ω
柵極電荷:65nC
功耗:300W
工作溫度范圍:-55℃ to +150℃
JSM80N80C具有非常低的導(dǎo)通電阻,這有助于減少功率損耗并提高效率。其快速的開關(guān)速度能夠支持高頻操作,適合現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。此外,該芯片具備良好的雪崩能力和熱穩(wěn)定性,從而在異常條件下也能保持可靠的工作狀態(tài)。
它的高擊穿電壓允許在高壓環(huán)境下運(yùn)行,而大電流處理能力則確保了其在重載情況下的表現(xiàn)。同時(shí),該器件還采用了先進(jìn)的制造工藝,以提供一致性和耐用性。
這款MOSFET主要應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、逆變器、電動(dòng)工具、LED照明驅(qū)動(dòng)器以及各類工業(yè)控制設(shè)備中。由于其卓越的性能,JSM80N80C非常適合用于需要高效率和高可靠性的電力電子系統(tǒng)。
在汽車電子領(lǐng)域,它可以作為負(fù)載開關(guān)或電機(jī)控制器的一部分;在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,常被用作電源適配器的核心元件。
IRFP250N, STP80N10, FDP18N80