IPB036N12N3G是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�,采用TO-252 (DPAK)封裝。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種高效能的功率管理電路�。其�(shè)�(jì)旨在�(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高效率的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:120V
最大連續(xù)漏電流:3.6A
柵極電荷�4nC
�(dǎo)通電阻:0.38Ω
功耗:1.5W
工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�
IPB036N12N3G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,能夠有效降低開(kāi)�(guān)損耗�
3. 較高的雪崩擊穿能量能�,確保在異常條件下具備更高的可靠��
4. �(yōu)化的熱性能,適用于緊湊型設(shè)�(jì)且具備良好的散熱表現(xiàn)�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),支持環(huán)保要求�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS),如適配器和充電器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降壓和升壓�(zhuǎn)換器�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于保�(hù)和監(jiān)控鋰電池�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,控制小型直流或步�(jìn)電機(jī)�
5. 各種消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的功率管理模塊�
IPB037N12N3G, IRLZ44N