IKW25N120T2 是英飛凌(Infineon)公司生產的MOSFET功率晶體�。該器件屬于OptiMOS系列,采用先進的制造工藝設�,旨在提供高效率和高可靠性。其主要應用于開關電�、電機驅動、DC-DC轉換器等需要高效功率轉換的場景�
該器件具有低導通電阻的特點,能夠顯著降低傳導損�,同時具備快速開關性能,有助于減少開關損耗。此�,它還擁有堅固的雪崩能力和較強的熱穩(wěn)定�,使其在惡劣�(huán)境下也能保持�(wěn)定運��
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�25A
導通電阻:4.8mΩ
柵極電荷�68nC
開關頻率:高�1MHz
封裝形式:TO-247-3
IKW25N120T2 具有以下特點�
1. 低導通電�,有助于提高整體效率并減少發(fā)熱�
2. 快速開關性能,適合高頻應用場��
3. 強大的雪崩能量能力,增強了器件的耐用性和可靠��
4. 熱穩(wěn)定性優(yōu)異,在高溫環(huán)境下仍能保持良好的工作狀�(tài)�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
該芯片廣泛應用于各種功率電子領域,包括但不限于以下方面:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動與控�
4. 工業(yè)自動化設�
5. 太陽能逆變�
6. 電動車充電系�(tǒng)
其強大的性能和可靠性使它成為這些應用的理想選��
IKW24N120T2, IRFB3207, FDP18N12A