IDT71256L35TDB是一款高性能的SRAM(靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片,屬于IDT公司的ZBT SRAM系列。該器件采用低功耗設(shè)�(jì),支持高速數(shù)�(jù)訪問(wèn)和低延遲操作,廣泛應(yīng)用于需要高吞吐量和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)��
該芯片具�32K x 18位的存儲(chǔ)容量,總?cè)萘繛?76千比�。它采用了先�(jìn)的CMOS工藝制�,具備出色的電氣特性和可靠性。此�,IDT71256L35TDB還支持多種工作模�,并且可以通過(guò)片選信號(hào)和地址輸入靈活地�(jìn)行數(shù)�(jù)讀�(xiě)操作�
存儲(chǔ)容量�576千比� (32K x 18)
工作電壓�3.3V
訪問(wèn)�(shí)間:5ns/10ns
接口�(lèi)型:同步
封裝形式:TQFP-44
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)寬度�18�
功耗:低功耗模式可降至微瓦�(jí)
IDT71256L35TDB具備以下主要特性:
1. 高速性能:支持高�(dá)200MHz的工作頻�,提供極短的�(shù)�(jù)訪問(wèn)�(shí)��
2. 靈活的操作模式:支持突發(fā)模式、單周期模式和塊�(xiě)入模式等多種操作方式�
3. 低功耗設(shè)�(jì):在待機(jī)模式下功耗極低,非常適合�(duì)功耗敏感的�(yīng)��
4. 可靠性:�(nèi)置奇偶校�(yàn)功能,能夠有效檢�(cè)和糾正數(shù)�(jù)�(cuò)誤�
5. 快速切換:支持快速的片選切換,適合多任務(wù)并行處理�(huán)境�
6. 寬溫度范圍:能夠在工�(yè)�(jí)溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境�
7. 易用性:通過(guò)�(jiǎn)單的控制信號(hào)即可�(shí)�(xiàn)�(fù)雜的�(shù)�(jù)操作�
IDT71256L35TDB因其�(yōu)異的性能和靈活�,適用于以下�(lǐng)域:
1. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:如路由器、交換機(jī)等需要高速緩存和�(shù)�(jù)緩沖的場(chǎng)��
2. 圖形處理:用于圖形控制器或圖像處理器中的幀緩沖區(qū)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化:在PLC、運(yùn)�(dòng)控制器和其他�(shí)�(shí)控制系統(tǒng)中作為臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
4. �(cè)試與�(cè)量:用于示波器、邏輯分析儀等設(shè)備中的數(shù)�(jù)采集和緩��
5. 嵌入式系�(tǒng):在嵌入式處理器中充�(dāng)高速緩存或程序存儲(chǔ)區(qū)�
IDT71V256L35TDB, IDT70V256L35TDB