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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CDR34BX563BMZPAT

CDR34BX563BMZPAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 15:30:41 查看 閱讀�4

CDR34BX563BMZPAT 是一款由 ON Semiconductor 提供的功� MOSFET 芯片,采� TO-263 封裝形式。該器件適用于高效率�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類(lèi)工業(yè)控制�(yīng)�。其�(shè)�(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,從而實(shí)�(xiàn)更高的系�(tǒng)效率和更低的熱損��
  該芯片屬� N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,能夠承受較高的漏源電壓,同�(shí)具備較低的柵極電荷和輸出電容,使其非常適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�38A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�7.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�11nC
  總電容(輸入電容):1500pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-263

特�

CDR34BX563BMZPAT 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通狀�(tài)下的功�,提高整體效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,得益于其優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),能夠有效降低開(kāi)�(guān)損��
  3. �(qiáng)大的漏極電流能力,確保在大電流負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)行�
  4. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C),適�(yīng)惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要��
  6. 可靠性高,適合長(zhǎng)�(shí)間連續(xù)工作的工�(yè)�(jí)�(yīng)��

�(yīng)�

該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器,用于高效能量轉(zhuǎn)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,支持從小型直流電機(jī)到大型伺服系�(tǒng)的控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和功率�(diào)節(jié)模塊�
  4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(yīng)用�
  5. 各類(lèi)電池充電器及保護(hù)電路,以�(shí)�(xiàn)快速充電并延長(zhǎng)電池壽命�

替代型號(hào)

CDR34BX563BMZPAN, CDR34BX563BMZPAK

cdr34bx563bmzpat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR34
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BX
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�P�0.1%�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.059"�1.50mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-