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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IDT71256L25TDB

IDT71256L25TDB 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 9:12:41 查看 閱讀�25

IDT71256L25TDB是美�(guó)公司Integrated Device Technology(IDT)生�(chǎn)的高�、低功耗的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�。該器件具有256K x 18位的存儲(chǔ)容量,采用先�(jìn)的CMOS工藝制造,能夠提供卓越的速度性能和較低的功��
  這款芯片�(shè)�(jì)用于需要高�(shù)�(jù)吞吐量的�(yīng)用場(chǎng)�,例如網(wǎng)�(luò)�(shè)備、圖像處理系�(tǒng)和高性能�(jì)算領(lǐng)�。它支持同步和異步操作模�,并具備快速訪問時(shí)間以滿足�(shí)�(shí)�(yīng)用需��

參數(shù)

存儲(chǔ)容量�256K x 18�
  核心電壓�1.8V
  I/O電壓�1.8V / 2.5V / 3.3V
  訪問�(shí)間:5ns
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TQFP-100
  �(shù)�(jù)寬度�18�
  �(shí)鐘頻率:最�200MHz

特�

IDT71256L25TDB采用了IDT專有的低功耗CMOS技�(shù),確保在高速運(yùn)行時(shí)仍然保持較低的功耗水��
  該芯片支持突�(fā)模式操作,可以顯著提高數(shù)�(jù)傳輸效率�
  其靈活的電源電壓范圍允許與多種不同接口標(biāo)�(zhǔn)兼容,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)過程�
  此外,它還提供了�(qiáng)大的功能�,包括自�(dòng)掉電、可編程刷新周期以及增強(qiáng)型錯(cuò)誤檢�(cè)�(jī)制等特��
  通過集成�(nèi)部終端電阻,減少了對(duì)外部元件的需�,從而節(jié)省了PCB空間并降低了成本�

�(yīng)�

由于其出色的性能表現(xiàn),IDT71256L25TDB被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,如路由器、交換機(jī)和防火墻�
  2. �(shù)字信�(hào)處理器(DSP)及相關(guān)�(yīng)用中的高速緩��
  3. �(yī)療成像和工業(yè)自動(dòng)化控制中的數(shù)�(jù)緩沖�
  4. 高端圖形處理單元(GPU)中的幀緩沖區(qū)�
  5. 其他�(duì)速度和可靠性要求較高的嵌入式系�(tǒng)中作為臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)解決方案�

替代型號(hào)

IDT71V256L25TDB, IDT71256S25TDB

idt71256l25tdb推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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