時間：2025/5/20 19:26:33
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IDT6116SA90DB是一款由Integrated Device Technology (IDT)公司生產(chǎn)的高速、低功耗SRAM芯片。該器件采用靜態(tài)RAM技術(shù)，具有高可靠性、快速訪問時間和低功耗的特點，適用于需要高性能存儲解決方案的應(yīng)用場景。IDT6116SA90DB提供16K x 8位的存儲容量，總共128Kb的存儲空間。它支持同步和異步操作模式，并且具有自動掉電功能，可有效降低功耗。
IDT6116SA90DB采用先進的CMOS工藝制造，確保其在高速運行時仍能保持較低的功耗。該器件廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備以及其他需要高速數(shù)據(jù)處理和存儲的領(lǐng)域。
存儲容量：128Kb
組織方式：16K x 8
工作電壓：3.3V
訪問時間：9ns
數(shù)據(jù)保留時間：無限
接口類型：同步/異步
封裝形式：TQFP-44
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
最大功耗：200mW
IDT6116SA90DB具備以下主要特性：
1. 高速性能：支持9ns的快速訪問時間，滿足高速數(shù)據(jù)處理需求。
2. 雙操作模式：兼容同步和異步兩種操作模式，為系統(tǒng)設(shè)計提供了更大的靈活性。
3. 低功耗設(shè)計：采用了先進的低功耗CMOS技術(shù)，在保證高性能的同時降低了能耗。
4. 自動掉電功能：當器件處于空閑狀態(tài)時，可以自動進入低功耗模式，進一步節(jié)省電力消耗。
5. 高可靠性：具有較強的抗干擾能力和較長的數(shù)據(jù)保留時間，確保數(shù)據(jù)的安全性和完整性。
6. 寬溫范圍：支持-40°C至+85°C的工作溫度范圍，適應(yīng)各種環(huán)境條件下的應(yīng)用需求。
IDT6116SA90DB由于其高性能和低功耗的特點，被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 通信設(shè)備：如路由器、交換機等需要高速數(shù)據(jù)緩沖和存儲的設(shè)備。
2. 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備：在網(wǎng)絡(luò)處理器和控制器中作為緩存使用，提高數(shù)據(jù)傳輸效率。
3. 工業(yè)控制：用于工業(yè)自動化系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和處理。
4. 醫(yī)療設(shè)備：在醫(yī)療成像和診斷設(shè)備中作為臨時存儲器使用。
5. 其他應(yīng)用：包括消費類電子產(chǎn)品、軍事設(shè)備和航空航天等領(lǐng)域。
IDT71V16SA90DB, CY7C1041DV33, MT5C1024BHG-9
