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IAUT300N08S5N012ATMA2 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 22:28:04 查看 閱讀:12

IAUT300N08S5N012ATMA2是一款高性能的MOSFET功率晶體管,主要應(yīng)用于高效率開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負(fù)載切換等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及出色的熱性能。其額定電壓為80V,連續(xù)漏極電流高達(dá)300A,非常適合需要大電流處理能力的應(yīng)用場景。
  這款MOSFET設(shè)計注重降低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率。此外,它還具有較低的柵極電荷(Qg)和輸出電容(Coss),有助于實現(xiàn)高頻操作。

參數(shù)

型號:IAUT300N08S5N012ATMA2
  類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓:80V
  連續(xù)漏極電流:300A
  導(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  柵極電荷:120nC(典型值)
  總柵極電荷:160nC(最大值)
  輸入電容:3700pF(典型值)
  輸出電容:1200pF(典型值)
  反向恢復(fù)時間:9ns(典型值)
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
  封裝形式:D2PAK(TO-263)

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有效降低功耗。
  2. 高額定電流能力,支持大功率應(yīng)用。
  3. 快速開關(guān)特性,適合高頻工作環(huán)境。
  4. 出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠承受惡劣的工作條件。
  5. 小型化封裝設(shè)計,便于PCB布局與散熱管理。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛材料。
  7. 提供良好的抗雪崩能力和ESD保護,確保器件在異常情況下的安全性。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. 電機驅(qū)動電路中的功率級開關(guān)。
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
  4. 新能源汽車電子系統(tǒng)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)開關(guān)。
  5. 大功率LED驅(qū)動器的核心元件。
  6. 充電器和適配器中的高效功率轉(zhuǎn)換組件。
  7. 不間斷電源(UPS)和逆變器的關(guān)鍵功率器件。

替代型號

IPA60R079P7_S5, IRFB4110TRPBF, FDP150AN8S

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iaut300n08s5n012atma2產(chǎn)品

iaut300n08s5n012atma2參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量19現(xiàn)貨
  • 價格1 : ¥53.90000剪切帶(CT)2,000 : ¥27.03790卷帶(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)80 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)300A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)1.2 毫歐 @ 100A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)3.8V @ 275μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)231 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)16250 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)375W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝PG-HSOF-8-1
  • 封裝/外殼8-PowerSFN