BSS8402DW是一款N溝道增強型MOSFET(場效應晶體管),主要應用于低壓開關(guān)電路、負載開�(guān)以及信號切換等場�。該器件采用SOT-23封裝,具有小體積、高效率和低導通電阻的特點,非常適合便攜式�(shè)備和其他空間受限的應用�
最大漏源電壓Vds�20V
最大柵源電壓Vgs:�10V
最大連續(xù)漏電流Id�0.5A
導通電阻Rds(on)�2.7Ω(在Vgs=4.5V時)
功耗Pd�270mW
工作溫度范圍�-55℃至+150�
BSS8402DW的主要特性包括:
1. 高開�(guān)速度,適合高頻應��
2. 極低的輸入電容和輸出電容,有助于減少開關(guān)損��
3. 小尺寸SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間�
4. 靜態(tài)功耗極低,適用于電池供電設(shè)��
5. 良好的熱�(wěn)定�,可在較寬的溫度范圍�(nèi)可靠工作�
6. 具備較高的雪崩擊穿能力和短路耐受能力,增強了器件的可靠��
BSS8402DW廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 手機和便攜式電子�(shè)備中的負載開�(guān)�
2. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切��
3. 電源管理模塊中的功率開關(guān)�
4. 各種小型化消費類電子�(chǎn)品中的保護電路�
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制電��
6. 電機�(qū)動和LED�(qū)動中的開�(guān)元件�
BSS84, BS8402DW, MMBF8402