I7525BN 時間：2025/5/16 17:44:33 閱讀：18

I7525BN是一款高性能的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），主要用于開關和功率放大應用。該器件采用N溝道技術，具有較低的導通電阻和較高的開關速度，非常適合在高效率電源轉換、電機驅動以及負載開關等場景中使用。
　　該芯片以其出色的性能和可靠性著稱，廣泛應用于消費電子、工業(yè)設備和通信領域。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：18A
　　導通電阻：3.6mΩ
　　柵極電荷：64nC
　　輸入電容：1940pF
　　工作結溫范圍：-55℃至175℃

特性

I7525BN具備低導通電阻的特點，有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　其高電流承載能力使得該器件適用于大功率應用場景。
　　快速開關特性減少了開關損耗，提升了高頻電路的性能。
　　良好的熱穩(wěn)定性確保了器件在極端溫度條件下的可靠運行。
　　同時，該器件還具有抗雪崩能力和低反向恢復電荷，適合于嚴苛的工作環(huán)境。

應用

I7525BN常用于直流-直流轉換器、開關電源（SMPS）、電機控制、電池管理系統(tǒng)（BMS）以及負載開關等應用中。
　　在消費類電子產(chǎn)品中，它可用于筆記本電腦適配器、智能手機快充模塊和家用電器的電源管理。
　　在工業(yè)領域，該器件支持工廠自動化設備中的伺服驅動和機器人控制系統(tǒng)。
　　此外，在新能源汽車和儲能系統(tǒng)中，I7525BN也發(fā)揮著重要作用，如用于電動汽車的車載充電器和DC-DC變換器。