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FQD3N60CTM-WS 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 16:27:21 查看 閱讀�19

FQD3N60CTM-WS是一款高壓N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率切換的�(yīng)用場�。該器件采用TO-252封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的耐壓能力,能夠有效減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
  這款MOSFET的特�(diǎn)在于其出色的開關(guān)性能以及耐用性,適合�(duì)效率和可靠性要求較高的�(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�3.4A
  �(dǎo)通電阻:1.9Ω
  柵極電荷�30nC
  總電容(輸入電容):570pF
  漏源極電荷:14nC
  功耗:15W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

FQD3N60CTM-WS具備以下主要特性:
  1. 高擊穿電壓(600V�,適合高壓應(yīng)用場��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(1.9Ω典型值),有助于降低�(dǎo)通損��
  3. 快速開�(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻電路需��
  4. 較小的封裝尺寸(TO-252�,節(jié)省PCB空間�
  5. 支持高電流輸出(最�3.4A連續(xù)漏極電流)�
  6. 寬廣的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),確保在極端條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

FQD3N60CTM-WS廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)及適配��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  5. 照明系統(tǒng)的電子鎮(zhèn)流器和LED�(qū)�(dòng)��
  6. 各種需要高壓切換的消費(fèi)類電子產(chǎn)��
  由于其優(yōu)異的電氣特性和緊湊的封裝形式,該器件非常適合用作高效能功率開關(guān)�

替代型號(hào)

FQD3N60, IRF640, STP3NB60Z

fqd3n60ctm-ws推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fqd3n60ctm-ws參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列QFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)2.4A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)3.4 歐姆 @ 1.2A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)14 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)565 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)50W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�TO-252AA
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63