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HUFA76443P3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 18:22:51 查看 閱讀�23

HUFA76443P3 是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用P-channel技�(shù)�(shè)�(jì),廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和出色的熱性能,能夠有效減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款功率MOSFET適合用于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場�,其封裝形式通常為SOT-23或類似的表面貼裝封裝,有助于�(shí)�(xiàn)緊湊型設(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:-40V
  連續(xù)漏極電流�-3.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):95mΩ(典型�,Vgs=-4.5V�
  柵極電荷�1.5nC(典型值)
  開關(guān)�(shí)間:開啟延遲�(shí)�4ns,關(guān)斷下降時(shí)�7ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:SOT-23

特�

HUFA76443P3具有非常低的�(dǎo)通電�,能夠在高電流條件下保持較低的功�。此�,該器件的快速開�(guān)能力使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)�,能夠減少開�(guān)損��
  由于采用了先�(jìn)的制程工藝,該功率MOSFET具備良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下也能�(wěn)定工�。同�(shí),它還具有較�(qiáng)的抗靜電能力(ESD保護(hù)�,確保在生產(chǎn)和使用過程中不易受到損壞�
  該器件的小型化封裝形式�(jìn)一步提升了其在空間受限�(yīng)用中的適用�,例如便攜式�(shè)備和消費(fèi)電子�(chǎn)品中的電源管理電��

�(yīng)�

HUFA76443P3適用于多種電子電�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS�
  - DC-DC�(zhuǎn)換器
  - �(fù)載開�(guān)
  - 電池管理與保�(hù)
  - 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源控�
  - 工業(yè)自動(dòng)化中的信�(hào)切換
  其高效能和小型化特點(diǎn)使得該器件成為現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)中的理想選擇�

替代型號(hào)

NTR4143P3
  HUF76443P3
  SI4865DP
  FDDP3N10

hufa76443p3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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hufa76443p3參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝400
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列UltraFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫歐 @ 75A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs129nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4115pF @ 25V
  • 功率 - 最�260W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件